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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110957210B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811121735.4，技术领域涉及：H01L21/027；该发明授权一种半导体结构制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体结构制备方法，包括提供一待蚀刻层；于所述待蚀刻层表面形成芯模层；于所述待蚀刻层和所述芯模层表面形成侧墙材料层；在施加连续偏压功率和或脉冲偏压功率条件下，采用等离子体蚀刻工艺回蚀刻所述侧墙材料层直至暴露出所述待蚀刻层及所述芯模层顶部，保留所述芯模层两侧的侧墙材料作为侧墙；去除所述芯模层；去除所述芯模层之后，以所述侧墙为掩模，蚀刻所述待蚀刻层。利用本发明，经由不同步骤依序控制降低半导体结构的线宽粗糙度，将图形特征结构准确的转移至衬底上，进而提高器件的性能。

本发明授权一种半导体结构制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一待蚀刻层；于所述待蚀刻层表面形成芯模层；于所述待蚀刻层和所述芯模层表面形成侧墙材料层；在施加连续偏压功率和或脉冲偏压功率条件下，采用等离子体蚀刻工艺回蚀刻所述侧墙材料层直至暴露出所述待蚀刻层及所述芯模层顶部，保留所述芯模层两侧的侧墙材料作为侧墙；去除所述芯模层；去除所述芯模层之后，以所述侧墙为掩模，蚀刻所述待蚀刻层；所述待蚀刻层形成于衬底表面；所述制备方法还包括：去除所述芯模层之后，以所述侧墙为掩模，蚀刻所述待蚀刻层直至暴露出所述衬底为止；所述待蚀刻层包括硬掩膜层以及位于所述硬掩膜层上的第一抗反射层；所述制备方法还包括：去除所述芯模层之后，以所述侧墙为掩模，蚀刻所述第一抗反射层直至暴露出所述硬掩膜层为止；以蚀刻后的所述第一抗反射层为掩模，蚀刻所述硬掩膜层直至暴露出所述衬底为止；于蚀刻所述硬掩膜层的蚀刻气体中添加增强气体，所述增强气体用于增强所述硬掩膜层的抗蚀刻性；所述增强气体包括HBr或Ar。

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