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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利沟槽隔离结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875238B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811020350.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权沟槽隔离结构及其制作方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟槽隔离结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种沟槽隔离结构及其制作方法，结构包括：衬底，衬底中具有沟槽；绝缘介质层，包括填充于沟槽的第一绝缘部以及凸出于衬底顶面的第二绝缘部，第二绝缘部包括上部的凸起部以及位于凸起部及第一绝缘部之间的凸起连接部；侧壁保护部，覆盖于述第二绝缘部的凸起部的侧壁；以及侧壁延伸部，覆盖于第二绝缘部的凸起连接部的侧壁；侧壁保护部与绝缘介质层具有不同材质。本发明通过设置支撑层使得沟槽隔离结构的绝缘介质具有凸出于衬底的凸起部，并通过对该凸起部的周侧形成侧壁延伸部及侧壁保护部，侧壁保护部与绝缘介质的材质不同而具有较高的刻蚀选择比，从而可以对绝缘介质进行保护，减小或者避免绝缘介质的侧腐蚀。

本发明授权沟槽隔离结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底，于所述衬底表面至少依次形成氧化物衬垫层和支撑介质层；图案化刻蚀所述支撑介质层及所述氧化物衬垫层，以于所述支撑介质层及所述氧化物衬垫层形成填充窗口，接续刻蚀所述衬底，以于所述衬底中形成沟槽；沉积绝缘介质层，所述绝缘介质层包括填充于所述沟槽的第一绝缘部以及填充于所述填充窗口的第二绝缘部；去除所述支撑介质层，使得所述第二绝缘部凸出于所述氧化物衬垫层以形成凸起部；沉积隔离介质层，所述隔离介质层包括覆盖所述氧化物衬垫层的第一表面部、覆盖所述凸起部的上表面的第二表面部以及覆盖所述凸起部的侧壁的侧壁保护部，所述隔离介质层与所述氧化物衬垫层具有不同材质；去除所述隔离介质层的所述第一表面部、所述第二表面部及位于所述第一表面部下方的所述氧化物衬垫层，保留位于所述凸起部侧壁的所述侧壁保护部，同时保留位于所述侧壁保护部下方的所述氧化物衬垫层以形成侧壁延伸部；其中，刻蚀位于所述第一表面部下方的所述氧化物衬垫层包括：采用第一碳氟气体作为刻蚀气体对所述氧化物衬垫层进行刻蚀，使得所述氧化物衬垫层的刻蚀速率大于所述隔离介质层的刻蚀速率，将位于所述第一表面部下方的所述氧化物衬垫层刻蚀至一剩余厚度；采用第二碳氟气体作为刻蚀气体对所述氧化物衬垫层进行刻蚀，使得所述氧化物衬垫层的刻蚀速率大于所述衬底的刻蚀速率，将具有所述剩余厚度的所述氧化物衬垫层全部去除；其中，所述第二氟碳气体的碳含量大于所述第一氟碳气体的碳含量。

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