恭喜住友电工光电子器件创新株式会社中野拓真获国家专利权
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龙图腾网恭喜住友电工光电子器件创新株式会社申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110544630B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910445078.7，技术领域涉及：H01L21/335；该发明授权制造半导体器件的方法是由中野拓真;丸山智己设计研发完成，并于2019-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，场板经由绝缘膜电耦合到晶体管的栅极，并且晶体管位于基板上；形成覆盖绝缘膜和场板的氮化硅保护膜；在氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；以及在氧化硅基膜上形成MIM电容器，该MIM电容器包括按顺序堆叠的第一电极、介电膜和第二电极。形成MIM电容器包括：在形成介电膜之后，对场板上的氧化硅基膜执行湿法蚀刻。
本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在覆盖晶体管的绝缘膜上形成场板，所述晶体管位于基板上；形成覆盖所述绝缘膜和所述场板的氮化硅保护膜；在形成所述氮化硅保护膜之后，在所述氮化硅保护膜上形成氧化硅基膜；以及在所述氧化硅基膜上形成MIM电容器，所述MIM电容器包括依次堆叠的第一电极、介电膜和第二电极，其中，形成所述MIM电容器包括：在形成所述介电膜之后，对形成在所述场板上的所述氧化硅基膜的部分执行湿法蚀刻。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人住友电工光电子器件创新株式会社，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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