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龙图腾网恭喜长鑫存储技术(上海)有限公司申请的专利写操作电路、半导体存储器和写操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112712832B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911021458.4，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权写操作电路、半导体存储器和写操作方法是由张良设计研发完成，并于2019-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本写操作电路、半导体存储器和写操作方法在说明书摘要公布了：本申请实施例至少提供一种写操作电路，包括：串并转换电路，用于对DBI端口的第一DBI数据进行串并转换，以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据，以及根据第二DBI数据和DQ端口的输入数据，生成数据缓冲模块的输入数据；数据缓冲模块，用于根据数据缓冲模块的输入数据，确定是否翻转全局总线；DBI解码模块，用于根据第二DBI数据，对全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入存储块，解码包括确定是否翻转全局总线数据；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将全局总线的初始态设置为低。本申请实施例的技术方案可以实现在Precharge下拉架构下，减少全局总线的翻转次数，从而大幅压缩电流，降低功耗。

本发明授权写操作电路、半导体存储器和写操作方法在权利要求书中公布了：1.一种写操作电路，应用于半导体存储器，其特征在于，所述半导体存储器包括DQ端口、DBI端口和存储块，所述写操作电路包括：串并转换电路，连接于所述DBI端口和所述DQ端口，用于对所述DBI端口的第一DBI数据进行串并转换，以生成供DBI信号线传输的第二DBI数据，以及根据所述第二DBI数据和所述DQ端口的输入数据，生成数据缓冲模块的输入数据；其中，在外部数据中为高的数据的位数大于预设值的情况下，所述第一DBI数据被置为高，所述DQ端口的输入数据为所述外部数据的翻转数据；在所述外部数据中为高的数据的位数小于等于所述预设值的情况下，所述第一DBI数据被置为低，所述DQ端口的输入数据为所述外部数据；所述数据缓冲模块的输入数据为所述DQ端口的输入数据的反相数据；数据缓冲模块，包括多个PMOS晶体管，所述PMOS晶体管的栅极连接于所述串并转换电路，以接收所述数据缓冲模块的输入数据，所述PMOS晶体管的漏极连接于全局总线，所述数据缓冲模块用于根据所述数据缓冲模块的输入数据，确定是否翻转所述全局总线；DBI解码模块，连接于所述存储块，所述DBI解码模块接收所述全局总线上的全局总线数据，并通过所述DBI信号线接收所述第二DBI数据，并用于根据所述第二DBI数据，对所述全局总线数据进行解码，并将解码后的数据写入所述存储块，所述解码包括确定是否翻转所述全局总线数据；预充电模块，连接于预充电信号线，用于将所述全局总线的初始态设置为低。

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