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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112582013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910931356.X，技术领域涉及：G11C17/14；该发明授权反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法是由李新设计研发完成，并于2019-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法，本发明的优点在于：1、本发明反熔丝存储单元电路是纯组合电路，相比时序电路，在延迟若干时间之后，所有通路都被关闭，且整个电路没有逻辑动作，静态功耗更低，功耗近似为0；2、本发明反熔丝存储单元电路通过开关和逻辑运算模块的设计，实质上构成了两个正反馈回路，使得读出电路可以更可靠的读出“0”或“1”；3、本发明反熔丝存储单元电路可以省去复杂的时序控制部分，甚至读出电路的输出OUTAOUTB可以不用锁存，直接作为反熔丝的编码输出。4、本发明反熔丝存储单元电路版图布局布线灵活。

本发明授权反熔丝存储单元电路、阵列电路及其读写方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储单元电路，其特征在于，包括：反熔丝器件；开关模块，耦接于所述反熔丝器件；选择模块，耦接于所述开关模块；控制模块，分别耦接于所述反熔丝器件和所述开关模块；其中，所述控制模块用于根据所述反熔丝器件的击穿状态，切换所述开关模块的通断模式；编程时所述控制模块控制所述开关模块打开，待机时所述控制模块控制所述开关模块关闭，正常工作时所述控制模块控制所述开关模块开启。

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