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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利电容器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943164B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910894346.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权电容器及其形成方法是由郭文峰;赖佳平;曾仲铨设计研发完成，并于2019-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本电容器及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供一种电容器，包括：沿着第一方向延伸且位于基板中的至少一主要沟槽，以及沿着不同于第一方向的第二方向延伸且位于基板中的至少一次要沟槽。电容还包括：分离基板与多个电容板中的第一电容板的第一介电材料，以及分离第一电容板与此些电容板中的第二电容板的第二介电材料，其中第一介电材料、第二介电材料、第一电容板与第二电容板至少部分位于基板中的至少一主要沟槽与至少一次要沟槽之中。

本发明授权电容器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器，包括：多个主要沟槽于一基板中，沿着一第一方向延伸，其中所述主要沟槽的一第一主要沟槽的一第一侧壁的高度大于该基板的一岛状结构相邻于该第一主要沟槽的一第二侧壁的长度，且在垂直于该基板的顶表面的方向测量该第一侧壁的高度及该第二侧壁的长度；多个次要沟槽于该基板中，沿着不同于该第一方向的一第二方向延伸，且与所述主要沟槽相交，其中所述次要沟槽的相邻次要沟槽与所述主要沟槽的相邻主要沟槽共同定义出该岛状结构；一第一介电材料，分离该基板与多个电容板中的一第一电容板；以及一第二介电材料，分离该第一电容板与所述电容板中的一第二电容板，其中该第一介电材料、该第二介电材料、该第一电容板与该第二电容板至少部分位于该基板中的至少一主要沟槽与至少一次要沟槽之中。

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