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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利再分布基板、制造再分布基板的方法以及半导体封装获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111584455B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911105300.5，技术领域涉及：H01L23/498；该发明授权再分布基板、制造再分布基板的方法以及半导体封装是由李锡贤设计研发完成，并于2019-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本再分布基板、制造再分布基板的方法以及半导体封装在说明书摘要公布了：公开了一种再分布基板，包括：第一导电图案，包括第一下焊盘和第二下焊盘，第一下焊盘和第二下焊盘在第一绝缘层内；第二导电图案，包括第一上焊盘和第二上焊盘，第一上焊盘和第二上焊盘在第一绝缘层上；第一过孔，在第一绝缘层中将第一下焊盘和第一上焊盘彼此连接；第二过孔，在第一绝缘层中将第二下焊盘和第二上焊盘彼此连接；以及电容器，在第一下焊盘和第一过孔之间。

本发明授权再分布基板、制造再分布基板的方法以及半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种再分布基板，包括：第一导电图案，包括第一下焊盘和第二下焊盘，所述第一下焊盘和所述第二下焊盘位于第一绝缘层内；第二导电图案，包括第一上焊盘和第二上焊盘，所述第一上焊盘和所述第二上焊盘位于所述第一绝缘层上；第一过孔，在所述第一绝缘层中将所述第一下焊盘和所述第一上焊盘彼此连接；第二过孔，在所述第一绝缘层中将所述第二下焊盘和所述第二上焊盘彼此连接；以及电容器，在所述第一下焊盘和所述第一过孔之间，所述电容器包括依次堆叠在所述第一下焊盘的顶表面上的阻挡层、电介质层和顶部电极，其中，所述阻挡层与所述第一下焊盘的所述顶表面接触，并且所述第一下焊盘用作所述电容器的底部电极，其中，所述电容器的阻挡层、电介质层和顶部电极整体上具有锥形形状，所述锥形形状的宽度随着距所述第二导电图案的距离的增加而减小，并且其中，所述电容器的阻挡层、电介质层和顶部电极整体上具有与所述第一过孔的侧表面共面的侧表面。

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