恭喜台湾积体电路制造股份有限公司张硕文获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利测试半导体装置的结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113345814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010140138.7，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权测试半导体装置的结构及方法是由张硕文;郭政诚;郑弘彬设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试半导体装置的结构及方法在说明书摘要公布了：本发明实施例涉及测试半导体装置的结构及方法。一种测试半导体装置的方法包含：传送时钟信号到第一晶片的第一寄存器以及第二晶片的第二寄存器；在所述时钟信号的第一边缘时，经由所述第一寄存器传送测试信号到第一待测装置；经由所述第一晶片的第一垫传送第一测量信号；在所述时钟信号的第二边缘时，经由所述第二寄存器传送所述测试信号到第二待测装置；及经由所述第二晶片的第二垫传送第二测量信号，其中所述第一垫及所述第二垫在垂直方向上对齐。
本发明授权测试半导体装置的结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种测试半导体装置的方法，包含：传送时钟信号到第一晶片的第一寄存器以及第二晶片的第二寄存器；在所述时钟信号的第一边缘时，经由所述第一寄存器传送测试信号到第一待测装置；经由所述第一晶片的第一垫传送第一测量信号；在所述时钟信号的第二边缘时，经由所述第二寄存器传送所述测试信号到第二待测装置；及经由所述第二晶片的第二垫传送第二测量信号，其中所述第一垫及所述第二垫在垂直方向上对齐。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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