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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010776933.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由卢经文;洪海涵设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：基底，所述基底内具有导电接触区域，所述基底暴露出所述导电接触区域；位线结构和位于所述位线结构侧壁的隔离墙，多个分立的所述位线结构位于所述基底上，所述隔离墙包括至少一层隔离层和位于所述隔离层和所述位线结构之间的空隙；电容接触孔，相邻所述位线结构之间的所述隔离墙围成的区域构成所述电容接触孔，所述电容接触孔暴露所述导电接触区域，在平行于所述位线结构的排列方向上，所述电容接触孔的顶部宽度大于底部宽度。本发明有利于提高半导体结构的导电性能。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有导电接触区域，所述基底暴露出所述导电接触区域；位线结构和位于所述位线结构侧壁的隔离墙，多个分立的所述位线结构位于所述基底上，所述隔离墙包括至少一层隔离层和位于所述隔离层和所述位线结构之间的空隙；电容接触孔，相邻所述位线结构之间的所述隔离墙围成的区域构成所述电容接触孔，所述电容接触孔暴露所述导电接触区域，在平行于所述位线结构的排列方向上，所述电容接触孔的顶部宽度大于底部宽度；所述位线结构顶部具有倒角，所述倒角的角度为5°～35°。

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