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龙图腾网恭喜瑞昱半导体股份有限公司申请的专利工艺与温度追踪参考负载及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113494970B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011110421.1，技术领域涉及：G01K7/22；该发明授权工艺与温度追踪参考负载及其方法是由林嘉亮设计研发完成，并于2020-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本工艺与温度追踪参考负载及其方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种校准电路以及一种参考负载，所述参考负载包含一电阻负载与一晶体管负载的一并联结构，该电阻负载包含一电阻，该晶体管负载包含多个晶体管，其中该电阻负载的一温度系数为正，该晶体管负载的一温度系数为负。

本发明授权工艺与温度追踪参考负载及其方法在权利要求书中公布了：1.一种校准电路，包含：一电阻负载，包含一可调电阻受控于一控制信号，用来接收一第一电流并据以建立一第一电压；一晶体管负载，包含多个晶体管，用来接收一第二电流并据以建立一第二电压，其中该晶体管负载包含一第一PMOS晶体管、一第一NMOS晶体管、一第二PMOS晶体管以及一第二NMOS晶体管，其中：该第一PMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至一第一节点、一第二节点与一第三节点；该第一NMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至一第四节点、该第三节点与该第二节点；该第二PMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至该第三节点、该第四节点与该第二节点；以及该第二NMOS晶体管的一源极、一栅极与一漏极分别连接至该第二节点、该第一节点与该第三节点；一比较器，用来依据该第一电压与该第二电压之间的一比较结果输出一逻辑信号；以及一有限状态机，用来接收该逻辑信号并输出该控制信号。

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