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龙图腾网恭喜南亚科技股份有限公司申请的专利半导体元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113451268B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110275005.5，技术领域涉及：H01L23/532；该发明授权半导体元件及其制备方法是由黄则尧设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一第一隔离层、一第二隔离层、多个第一导电特征以及一调和结构，该第一隔离层位在该基底上，该第二隔离层位在该第一隔离层上，该多个第一导电特征位在该第一隔离层与该第二隔离层中，该调和结构位在该第一隔离层与该第二隔离层之间。该调和结构具有一第一连接夹层以及多个第一调和层，该第一连接夹层分别电性耦接到位在该第一隔离层与该第二隔离层中的该多个第一导电特征，且该多个第一调和层位在该第一隔离层中的该多个第一导电特征与该第二隔离层中的该多个第一导电特征之间，其中该多个调和结构的一孔隙率介于大约25％到大约100％之间。

本发明授权半导体元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体元件，包括：一基底；一第一隔离层，位于该基底上；一第二隔离层，位于该第一隔离层上；多个第一导电特征，位于该第一隔离层与该第二隔离层中；一调和结构，位于该第一隔离层与该第二隔离层之间，其中，该调和结构具有一第一连接夹层以及多个第一调和层，该第一连接夹层分别电性耦接到位于该第一隔离层与该第二隔离层中的该多个第一导电特征，且该多个第一调和层位于该第一隔离层中的该多个第一导电特征与该第二隔离层中的该多个第一导电特征之间，其中多个该调和结构的一孔隙率介于25％到100％之间；多个多孔介电层，位于该多个第一调和层的侧壁与下表面上；以及多个上多孔介电层，位于该多个第一调和层与在该第二隔离层中的该多个第一导电特征之间。

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