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龙图腾网恭喜万国半导体国际有限合伙公司申请的专利用于在次级同步整流器中产生控制信号和充电直流电源的方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113206604B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110083612.1，技术领域涉及：H02M7/217；该发明授权用于在次级同步整流器中产生控制信号和充电直流电源的方法与装置是由印健;黄启洪设计研发完成，并于2021-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于在次级同步整流器中产生控制信号和充电直流电源的方法与装置在说明书摘要公布了：一个多功能开关有一个结场效应晶体管JFET，它输出一个电压用于充电和定时传感同步整流控制器。电流从JFET提供给同步整流控制器，JFET的漏极导电耦合到次级侧整流MOSFET的漏极，其中来自JFET源极的电流用于同步整流控制器的定时传感和供电。该JFET是偏置的固定输出，其源极到栅极电压在JFET的开启阈值电压下充电。JFET从变压器的次级侧完全导电，通过次级侧整流MOSFET的漏极到源极的微小电压降进行定时传感。在次级侧整流MOSFET的漏极至源极的低电压下，输入电压被施加到同步整流控制器的定时和充电输入端，或者在穿过次级侧的漏极至源极整流MOSFET的高电压下，输入电压通过第一OR‑ingMOSFET，被加到充电输入端。

本发明授权用于在次级同步整流器中产生控制信号和充电直流电源的方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种功率转换器，包括：一个同步整流控制器；一个多功能开关，导电耦合到同步整流控制器上，其中多功能开关包括一个结型场效应晶体管JFET，其源极导电耦合到同步整流控制器的充电输入端和定时控制输入端；还包括一个次级侧整流MOSFET，耦合到同步整流控制器上，其中次级侧整流MOSFET的栅极电极导电耦合到同步整流控制器上；还包括一个功率变压器，其中多功能开关导电耦合到功率变压器的次级侧或次级侧整流MOSFET的漏极电极上；还包括一个初级侧MOSFET，其中功率变压器的初级侧导电耦合到初级侧MOSFET上，并且其中初级侧MOSFET和变压器的初级侧进行了配置，使得流经初级侧MOSFET和功率变压器的初级侧的电流，当初级侧MOSFET“断开”时，电流流经功率变压器的次级侧。

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