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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110075188.6，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构及其制造方法是由刘志拯设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽包括位于底部和侧壁之间的拐角，所述拐角朝背离所述沟槽开口的方向凸起；第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧壁表面、所述拐角表面以及所述底部表面；第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层表面，所述第二隔离层的材料的硬度大于所述第一隔离层的材料的硬度；应力调整层，位于所述拐角与所述第二隔离层之间的所述第一隔离层内，所述应力调整层的硬度大于所述第一隔离层的硬度。本发明实施例有利于减小沟槽底部拐角受到的应力。

本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有沟槽，所述沟槽包括位于底部和侧壁之间的拐角，所述拐角朝背离所述沟槽开口的方向凸起；第一隔离层，所述第一隔离层覆盖所述侧壁表面、所述拐角表面以及所述底部表面；第二隔离层，所述第二隔离层覆盖所述第一隔离层表面，所述第二隔离层的材料的硬度大于所述第一隔离层的材料的硬度；应力调整层，位于所述拐角与所述第二隔离层之间的所述第一隔离层内，所述应力调整层的材料的硬度大于所述第一隔离层的材料的硬度；所述衬底包括外围区和阵列区，所述应力调整层位于所述外围区的沟槽内，所述外围区的沟槽内不形成有导电介质。

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