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龙图腾网恭喜曹建峰申请的专利一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113321179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110573749.5，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法是由曹建峰;毛羽宏设计研发完成，并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法，以硅片作为牺牲层，借助硅片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属层，然后侵蚀去掉硅片。本发明借助硅片作为牺牲层结合电镀的工艺制作出表面粗糙度达到硅片表面程度的金属基底，所采用的工艺成熟简单，节省了大量的时间和成本；同时整个工艺可以在超净间开展，避免了金属基底从“非洁净”空间转移至超净间带来了污染物，降低了在金属基底上成功制作传感器的难度。

本发明授权一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法在权利要求书中公布了：1.一种非抛光制作薄膜传感器用金属基底的方法，其特征在于：以硅片作为牺牲层，借助硅片表面极低的粗糙度，直接在其表面电镀金属层，然后侵蚀去掉硅片；为保护电镀金属层表面，用湿法侵蚀去掉硅片的时候，用LPCVD沉积的氮化硅作为阻隔层，阻止KOH刻蚀液侵蚀硅片过程中，对电镀金属的腐蚀；具体步骤如下：步骤一、将硅片使用丙酮、酒精和去离子水清洗，然后使用piranha溶液清洗去除表面有机物，再在BOE溶液里侵蚀去除表面氧化物，然后氮气吹干；步骤二、通过低压化学气相沉积工艺在硅片上、下表面制作一层氮化硅；步骤三、通过溅射工艺在其中一面的氮化硅层上沉积粘接层，用于后续金属层的粘接；步骤四、通过溅射工艺在粘接层上沉积一层电镀种子层；步骤五、通过电镀工艺在电镀种子层上沉积金属层；步骤六、通过反应离子刻蚀工艺将硅片上的氮化硅层刻蚀掉；步骤七、通过湿法刻蚀工艺，使用KOH溶液刻蚀掉硅片，LPCVD制备的氮化硅作为阻隔层，阻止KOH对金属基底的侵蚀；步骤八、再次通过步骤六将金属基底上的氮化硅刻蚀掉，即可得到表面粗糙度到达硅片表面的金属基底，用于制作薄膜传感器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人曹建峰，其通讯地址为：234000 安徽省宿州市埇桥区师范路电厂小区C栋403；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。