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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利存储器阵列器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113517301B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110701405.8，技术领域涉及：H10B51/10；该发明授权存储器阵列器件及其形成方法是由林孟汉;杨丰诚;王圣祯;杨世海;林佑明;贾汉中设计研发完成，并于2021-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器阵列器件及其形成方法在说明书摘要公布了：存储器阵列器件包括位于半导体衬底上方的晶体管的堆叠件，该堆叠件的第一晶体管设置在该堆叠件的第二晶体管上方。第一晶体管包括沿着第一字线的第一存储器膜以及沿着源极线和位线的第一沟道区域，第一存储器膜设置在第一沟道区域和第一字线之间。第二晶体管包括沿着第二字线的第二存储器膜以及沿着源极线和位线的第二沟道区域，第二存储器膜设置在第二沟道区域和第二字线之间。存储器阵列器件包括电连接至第一字线的第一阶梯通孔和电连接至第二字线的第二阶梯通孔，第二阶梯通孔和第一阶梯通孔具有不同的宽度。本发明的实施例还涉及存储器阵列器件的形成方法。

本发明授权存储器阵列器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器阵列器件，包括：晶体管的堆叠件，位于半导体衬底上方，所述晶体管的堆叠件包括位于第二薄膜晶体管上方的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括：第一存储器膜，沿着第一字线的纵长方向设置且与所述第一字线的侧壁接触；和第一沟道区域，在第一源极线和第一位线之间延伸，其中，所述第一存储器膜设置在所述第一沟道区域和所述第一字线之间，所述第一字线的纵长方向与从所述第一源极线至所述第一位线的方向平行；所述第二薄膜晶体管包括：第二存储器膜，沿着第二字线的纵长方向而设置且与所述第二字线的侧壁接触；和第二沟道区域，在所述第一源极线和所述第一位线之间延伸，其中，所述第二存储器膜设置在所述第二沟道区域和所述第二字线之间，所述第二字线的纵长方向与从所述第一源极线至所述第一位线的方向平行；第一阶梯通孔，电连接至所述第一字线，所述第一阶梯通孔具有上下一致的第一直径；以及第二阶梯通孔，电连接至所述第二字线，所述第二阶梯通孔具有上下一致的第二直径，所述第二直径大于所述第一直径。

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