恭喜长鑫存储技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体单元接触结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111129016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811289731.7，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体单元接触结构及其形成方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2018-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体单元接触结构及其形成方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体单元接触结构的形成方法及应用该方法形成的产品。形成方法包括：a.在待处理元件上沿待处理部形状沉积一层多晶硅，形成多晶硅沉积层；b.在多晶硅层表面上沉积一层氧化硅，形成氧化硅隔离层；c.在氧化硅层表面继续沉积多晶硅，形成多晶硅覆盖层；d.刻蚀多晶硅覆盖层和部分氧化硅隔离层；e.过度刻蚀部分多晶硅沉积层以暴露单元接触的接触部。通过在多晶硅层中沉积一层氧化硅，利用氧化硅电阻较高于多晶硅的性质降低单元接触的漏电机制。
本发明授权一种半导体单元接触结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体单元接触结构的形成方法，包括以下步骤：a.在待处理元件上沿待处理部形状沉积一层多晶硅，形成多晶硅沉积层；b.在所述多晶硅沉积层表面上沉积一层氧化硅，形成氧化硅隔离层；c.在所述氧化硅隔离层表面继续沉积多晶硅，形成多晶硅覆盖层；d.刻蚀所述多晶硅覆盖层和部分所述氧化硅隔离层；e.过度刻蚀部分所述多晶硅沉积层以暴露单元接触的接触部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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