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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110085594B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910074254.0，技术领域涉及：H10B41/27；该发明授权三维半导体存储器装置是由白石千;李星勋设计研发完成，并于2019-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：栅极堆叠结构，位于基体基底上，所述栅极堆叠结构包括在与基体基底的表面垂直的方向上堆叠并且彼此分隔开的栅电极；贯通区，贯穿栅极堆叠结构并且被栅极堆叠结构围绕；以及第一垂直通道结构和第二垂直通道结构，位于贯通区的两侧上并且贯穿栅极堆叠结构，其中，贯通区位于第一垂直通道结构和第二垂直通道结构之间。

本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：栅极堆叠结构，位于基体基底上，所述栅极堆叠结构包括在与所述基体基底的表面垂直的方向上堆叠并且彼此分隔开的栅电极，所述栅电极包括上栅电极、中间栅电极和下栅电极；贯通区，贯穿所述栅极堆叠结构并且被所述栅极堆叠结构围绕；以及第一垂直通道结构和第二垂直通道结构，位于所述贯通区的两侧上并且贯穿所述栅极堆叠结构，其中，所述贯通区位于所述第一垂直通道结构和所述第二垂直通道结构之间，其中，所述上栅电极包括第一上栅电极和第二上栅电极，所述第一上栅电极和所述第二上栅电极在与所述基体基底的所述表面平行的第一方向上彼此分隔开并彼此面对，所述贯通区置于所述第一上栅电极与所述第二上栅电极之间，其中，所述中间栅电极和所述下栅电极在所述第一方向上延伸而不被所述贯通区切断，并且其中，所述栅极堆叠结构包括：位于所述栅极堆叠结构的相对侧上的第一外部接触区和第二外部接触区以及位于所述第一外部接触区与所述第二外部接触区之间的内部接触区，所述第一垂直通道结构位于所述第一外部接触区与所述内部接触区之间，并且所述第二垂直通道结构位于所述第二外部接触区与所述内部接触区之间。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。