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龙图腾网恭喜江苏大学申请的专利一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110597316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910812020.1，技术领域涉及：G05D23/20；该发明授权一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置是由吴雪莲;姜江;曹明昊;郭玉琴;徐凡;袁晓明设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置，涉及温控电路领域，基体为绝缘形状记忆聚合物，在基体表面加工出连续的凹陷结构，所述凹陷区域的深度不大于基体材料厚度的三分之二；所述凹陷结构的深度可相同，也可不同；所述凹陷结构可以是在基体表面加工出的凹槽结构，也可以是在特定温度下进行压印预变形处理所制备的凹痕结构；在凹陷结构中引入有机溶剂，使得有机溶剂和凹陷区域材料发生一定深度范围的溶胀；在凹陷的溶胀区域引入可形成导电物质的溶液；所述导电物质的溶液进入溶胀区材料分子链段形成的网络空隙为反应池，生成导电物质；对溶胀氧化聚合完的凹陷区域固化处理后得到导电线路。

本发明授权一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法及电路装置在权利要求书中公布了：1.一种基于形状记忆效应的溶胀聚合温控电路的制备方法，其特征在于，（a）基体为绝缘形状记忆聚合物；（b）在基体表面加工出连续的凹陷结构，所述凹陷结构的深度不大于基体材料厚度的三分之二；所述凹陷结构为在基体表面通过机械加工实现的永久凹槽结构或者在特定温度下基于聚合物形状记忆效应进行压印预变形处理所制备的压痕结构；（c）在凹陷结构中引入有机溶剂，使得有机溶剂和凹陷区域材料发生一定深度范围的溶胀；（d）在凹陷的溶胀区域引入可形成导电物质的溶液；所述导电物质的溶液进入溶胀区材料分子链段形成的网络空隙，该网络空隙为反应池，在反应池内生成导电物质；对溶胀氧化聚合完的凹陷区域固化处理后得到嵌入一定深度的导电线路；（e导电线路通过电子器件连接形成电路装置；在特定温度下对导电线路的一段或者多段区域进行预变形处理，从而使得基体上的导电物质失去连续性，电路装置不连通；或者在表面加工出连续的且深度不同的凹陷结构的较深部分区域引入助剂，使得导电物质失去导电性能，导电线路失去连续型，电路装置不连通；依次加热预变形区域，预变形区域发生形状恢复，导电物质重新形成连续相，电路装置连通；或者再次引入助剂，使得不导通区域再次具有导电性能。

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