恭喜台湾积体电路制造股份有限公司江法伸获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成芯片、存储器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113113533B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110255835.1，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权集成芯片、存储器件及其形成方法是由江法伸;蔡正原;金海光;林杏莲;匡训冲;李璧伸设计研发完成，并于2021-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成芯片、存储器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明的各个实施例涉及存储器单元，该存储器单元包括设置在顶部电极与底部电极之间的数据存储结构。该数据存储结构包括覆盖在底部电极上的下部交换层和覆盖在下部交换层上的上部交换层。下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂的介电材料。本申请的实施例还涉及集成芯片、存储器件及其形成方法。
本发明授权集成芯片、存储器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器件，包括：衬底；底部电极，覆盖在所述衬底上；顶部电极，覆盖在所述底部电极上；以及数据存储结构，设置在所述顶部电极与所述底部电极之间，其中，所述数据存储结构包括下部交换层和上部交换层，所述下部交换层覆盖在所述底部电极上，并且所述上部交换层覆盖在所述下部交换层上，其中所述下部交换层包括掺杂有第一掺杂剂和不同于所述第一掺杂剂的第二掺杂剂的介电材料，其中，所述下部交换层包括：所述第一掺杂剂的第一原子百分比和所述第二掺杂剂的第二原子百分比，其中，所述第二原子百分比大于所述第一原子百分比。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人台湾积体电路制造股份有限公司，其通讯地址为：中国台湾新竹；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号