买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020408B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110244158.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由占康澍;宛强;徐朋辉;刘涛;李森;夏军设计研发完成，并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔、以及覆盖于所述电容孔内壁的下电极层，所述叠层结构包括多个支撑层和至少一个牺牲层，所述牺牲层与所述支撑层沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠；形成覆盖于所述下电极层表面的保护层；刻蚀部分所述支撑层，暴露所述牺牲层；去除所有的所述牺牲层和所有的所述保护层，暴露所述下电极层。本发明避免了在打开支撑层的过程中对下电极层的损伤，确保了下电极层性能的稳定性。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底内的电容触点、位于所述衬底表面的叠层结构、贯穿所述叠层结构并暴露所述电容触点的电容孔、以及覆盖于所述电容孔内壁的下电极层，所述叠层结构包括多个支撑层和至少一个牺牲层，所述牺牲层与所述支撑层沿垂直于所述衬底的方向交替堆叠；形成覆盖于所述下电极层表面的保护层；刻蚀部分所述支撑层，暴露所述牺牲层；去除所有的所述牺牲层和所有的所述保护层，暴露所述下电极层；形成基底的具体步骤包括：提供衬底，所述衬底内具有多个电容触点；形成叠层结构于所述衬底表面，所述叠层结构包括沿垂直于所述衬底的方向依次叠置的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层；刻蚀所述叠层结构，形成沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述叠层结构、并暴露所述电容触点的电容孔；形成覆盖于所述电容孔内壁的下电极层；形成覆盖于所述电容孔内壁的下电极层之后，还包括如下步骤：刻蚀部分所述第三支撑层，暴露所述第二牺牲层；去除所述第二牺牲层，暴露部分的所述第二支撑层；刻蚀部分所述支撑层的具体步骤包括：刻蚀位于相邻所述电容孔之间的所述保护层，暴露部分的所述第二支撑层；暴露部分的所述第二支撑层之后，还包括如下步骤：沿垂直于所述衬底的方向刻蚀所述第二支撑层，暴露所述第一牺牲层；所述保护层的材料与所述第一牺牲层的材料相同；去除所有的所述牺牲层和所有的所述保护层的具体步骤包括：同步去除所述第一牺牲层和所述保护层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。