恭喜通富微电子股份有限公司张姝获国家专利权
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龙图腾网恭喜通富微电子股份有限公司申请的专利一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113327882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110559933.4,技术领域涉及:H01L21/683;该发明授权一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法是由张姝;肖姝;姚耀;丁嘉炜设计研发完成,并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法,吸嘴包括吸取部以及与吸取部相连的连接部;连接部设置有气路通孔;吸取部设置有第一吸取通孔以及环绕第一吸取通孔设置的多个第二吸取通孔,多个第二吸取通孔和第一吸取通孔均与气路通孔连通,并且第二吸取通孔的尺寸小于第一吸取通孔的尺寸。本发明在装片过程中,不仅能够减小吸嘴与芯片的接触面积,还能利用吸嘴为芯片传递较大的装片压力,达到良好的粘接效果,另外,利用与气路通孔连通的第一吸取通孔和多个第二吸取通孔,还能够有效去除附着在芯片表面的异物颗粒,从而大大降低芯片被压伤的风险,提高装片的良率及封装产品的可靠性表现。
本发明授权一种半导体器件封装用吸嘴及封装系统、封装方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体器件封装用吸嘴,其特征在于,所述吸嘴包括吸取部以及与所述吸取部相连的连接部;所述连接部设置有气路通孔;所述吸取部设置有第一吸取通孔以及环绕所述第一吸取通孔设置的多个第二吸取通孔,所述多个第二吸取通孔和所述第一吸取通孔均与所述气路通孔连通,并且所述第二吸取通孔的尺寸小于所述第一吸取通孔的尺寸;所述第二吸取通孔背离所述连接部的一侧横截面尺寸大于其朝向所述连接部的一侧横截面尺寸;所述第二吸取通孔的横截面尺寸,自所述第二吸取通孔背离所述连接部的一侧向朝向所述连接部的一侧依次减小;所述吸取部背离所述连接部的表面为内凹面;通过持续向所述吸嘴施压,当所述吸取部背离所述连接部的表面为内凹面时,即所述吸取部与芯片接触的一面为内凹面时,内凹面从四周逐步扩张至完全与所述芯片表面接触。
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