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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113471167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110496706.1，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权半导体器件及其形成方法是由王博汉;胡毓祥;郭宏瑞设计研发完成，并于2021-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：提供了一种具有重布结构的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括半导体结构、位于半导体结构上方并电耦合至半导体结构的重布结构，以及位于重布结构上方并电耦合至重布结构的连接器。重布结构包括基底通孔，以及电插入在基底通孔与连接器之间的堆叠通孔。堆叠通孔与基底通孔横向间隔开。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：半导体结构，包括第一连接器；重布结构，位于所述半导体结构上方并电耦合至所述半导体结构；以及第二连接器，位于所述重布结构上方并电耦合至所述重布结构，其中，所述重布结构包括：基底通孔；以及堆叠通孔，电插入在所述基底通孔与所述第二连接器之间，所述堆叠通孔的一部分与所述基底通孔横向间隔开，其中，所述堆叠通孔在所述重布结构中堆叠和交错，并且其中，所述堆叠通孔中的第一通孔与所述基底通孔竖直堆叠在所述第一连接器上方，并且所述基底通孔位于所述第一连接器上方并完全落在所述第一连接器上，所述堆叠通孔中的第二通孔和第三通孔相对于所述基底通孔和所述第一通孔横向移位并且也相对于所述第二连接器的通孔完全横向移位，并且所述第一连接器和所述第二连接器的通孔竖直对准，并且其中，所述重布结构还包括一条或多条伪导电线。

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