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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380899B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110604364.0，技术领域涉及：H01L29/786；该发明授权半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法是由吴咏捷;何彦忠;魏惠娴;游嘉榕;许秉诚;马礼修;林仲德设计研发完成，并于2021-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法在说明书摘要公布了：半导体器件包括：第一介电层；栅电极，嵌入在第一介电层内；层堆叠件，包括栅极介电层；沟道层，包括半导体金属氧化物材料；以及第二介电层；以及源电极和漏电极，嵌入在第二介电层中并且接触沟道层的顶面的相应部分。栅电极、栅极介电层、沟道层、源电极和漏电极的组合形成晶体管。沟道层的位于栅电极上面的底面的外围的总长度等于栅电极的宽度或是栅电极的宽度的两倍，并且栅电极材料在沟道层侧壁上的再溅射最小化。本申请的实施例还涉及半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法。

本发明授权半导体结构、晶体管和形成晶体管器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括：第一介电层；栅电极，嵌入在所述第一介电层内；栅极介电层；沟道层，包括半导体金属氧化物材料；第二介电层；以及源电极和漏电极，嵌入在所述第二介电层中并且接触所述沟道层的顶面的相应部分，其中，所述栅电极、所述栅极介电层、所述沟道层、所述源电极和所述漏电极的组合形成晶体管，以及位于所述栅电极上面的所述沟道层的底面的外围的总长度大于或等于所述栅电极的宽度，所述第一介电层包括接触所述栅极介电层的顶部水平表面和不位于所述栅极介电层下面的凹进的水平表面；以及所述第一介电层的侧壁段组将所述第一介电层的所述顶部水平表面邻接至所述第一介电层的所述凹进的水平表面。

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