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龙图腾网恭喜联华电子日本株式会社申请的专利用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114196911B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110804665.8，技术领域涉及：C23C14/04；该发明授权用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法是由稻垣聪设计研发完成，并于2021-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法，其中用于沉积装置的掩模结构包括多个第一部分以及多个第二部分。多个第一部分于环绕中心轴的方向上排列且彼此分离。多个第二部分设置于多个第一部分之上。各第二部分与两个相邻的第一部分在与中心轴的延伸方向平行的垂直方向上重叠。沉积装置包括制作工艺腔室、平台以及掩模结构。平台至少部分设置于制作工艺腔室中且包括基底的支承结构。掩模结构设置于制作工艺腔室中、位于平台之上且覆盖被支承在平台上的基底的周围区域。沉积装置的操作方法包括在不同的沉积制作工艺之间分别水平地调整多个第一部分与多个第二部分的位置。

本发明授权用于沉积装置的掩模结构、沉积装置以及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于沉积装置的掩模结构，包括：多个第一部分，在环绕中心轴的方向上排列且彼此分离；以及多个第二部分，设置于该多个第一部分之上，其中各该第二部分与两个相邻的该第一部分在与该中心轴的延伸方向平行的垂直方向上重叠，各该第一部分在自该中心轴向外的径向方向上的长度小于各该第二部分在自该中心轴向外的该径向方向上的长度，其中该多个第一部分中的一个的内侧边缘与该中心轴之间的距离至少部分等于该多个第二部分中的一个的内侧边缘与该中心轴之间的距离。

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