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龙图腾网恭喜航天科工通信技术研究院有限责任公司申请的专利一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113472298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110933457.8，技术领域涉及：H03F1/26；该发明授权一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路是由李烁星;张萌;胡彦胜;陈自然设计研发完成，并于2021-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构，其中，输入级采用二级级联共栅结构，用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构，用于实现信号的宽带延展与信号放大，输出级采用功率放大器设计结构，用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能。本发明实现了在宽频带500MHz~2.5GHz频率范围内宽带高线性工作，性能良好，实现基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器，可实现后续整个系统的单片集成。

本发明授权一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路在权利要求书中公布了：1.一种基于CMOS结构的宽带高线性低噪声放大器电路，其特征是：为由输入级、中间级与输出级组成的三级级联结构，其中，输入级采用二级级联共栅结构，包括第一NMOS管，第二NMOS管，其中第一NMOS管的栅极连接偏置电压，第一NMOS管的源极连接信号输入端，第二级NMOS管源极与第一级NMOS管漏极相连，第二级NMOS管栅极、漏极连接VDD；用于实现射频宽带匹配及低噪声放大功能；中间级采用分布式共源放大器结构，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管或更多NMOS管，各个NMOS管采用并联结构，其中每一NMOS管栅极相连、源极相连，漏极相连，输入级匹配后信号分别通过多级NMOS管的栅极，输出信号由多级NMOS管漏极连接输出，用于实现信号的宽带延展与信号放大；输出级采用功率放大器设计结构，其中包括第一NMOS管，RF反馈电阻组成，中间级输出信号与第一NMOS栅极连接，RF反馈电阻一端连接第一NMOS的漏极，另一端连接第一NMOS的栅极，信号由第一NMOS管的漏极输出，用于实现射频信号的输出匹配及功率驱动功能；所述的输入级、中间级与输出级之间的级间匹配采用电容匹配。

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