买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜三菱电机株式会社申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114078962B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110928731.2，技术领域涉及：H01L29/739；该发明授权半导体装置是由铃木健司;西康一;中村胜光;陈则;田中香次设计研发完成，并于2021-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置在说明书摘要公布了：提供具有缓冲层的半导体装置，该缓冲层能够缓和地阻止电压施加时的耗尽层的延伸，并且能够使用低浓度的质子而实现。半导体装置具有：N型漂移层1，设置于半导体基板20的第1主面与第2主面之间；及N型缓冲层10，设置于N型漂移层1与第1主面之间，杂质峰值浓度比N型漂移层高。N型缓冲层具有从第1主面侧起依次配置有第1缓冲层101、第2缓冲层102、第3缓冲层103及第4缓冲层104的构造。如果将第1缓冲层的杂质峰值位置与第2缓冲层的杂质峰值位置之间的距离设为L12，将第2缓冲层的杂质峰值位置与第3缓冲层的杂质峰值位置之间的距离设为L23，则满足L23L12≥3.5的关系。

本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其具有：第1导电型的漂移层，其设置于半导体基板的第1主面与第2主面之间；以及第1导电型的缓冲层，其设置于所述漂移层与所述第1主面之间，与所述漂移层相比杂质峰值浓度高，所述缓冲层具有从所述第1主面侧起依次配置有第1缓冲层、第2缓冲层、第3缓冲层以及第4缓冲层的构造，如果将所述第1缓冲层的杂质峰值位置与所述第2缓冲层的杂质峰值位置之间的距离设为L12，将所述第2缓冲层的杂质峰值位置与所述第3缓冲层的杂质峰值位置之间的距离设为L23，则满足L23L12≥3.5的关系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三菱电机株式会社，其通讯地址为：日本东京；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。