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龙图腾网恭喜广州市众拓光电科技有限公司申请的专利一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113725326B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110914247.4，技术领域涉及：H01L33/06；该发明授权一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用是由李国强设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及LED半导体技术领域，具体涉及一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用。紫外LED外延结构包括由下向上设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层；所述量子阱发光层为具有多个周期的AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN超晶格结构，所述AlxGa1‑xNAlyGa1‑yN超晶格结构包括AlxGa1‑xN势垒层和AlyGa1‑yN势阱层；所述AlyGa1‑yN势阱层由第一阱层AlyaGa1‑yaN、第二阱层AlybGa1‑ybN和第三阱层AlycGa1‑ycN组成，其中yb＞ya＞yc。本发明的紫外LED外延结构能够提升内量子效率和发光效率。

本发明授权一种紫外LED外延结构及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED外延结构，其特征在于，包括由下向上设置的衬底、缓冲层、非故意掺杂层、N型层、量子阱发光层、P型电子阻挡层、P型AlGaN层；所述量子阱发光层为具有多个周期的AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构，所述AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构包括AlxGa1-xN势垒层和AlyGa1-yN势阱层；所述AlyGa1-yN势阱层由第一阱层AlyaGa1-yaN、第二阱层AlybGa1-ybN和第三阱层AlycGa1-ycN组成，其中yb＞ya＞yc；AlxGa1-xNAlyGa1-yN超晶格结构的周期数为5~10；0.1≤x≤0.5，0＜y≤0.4。

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