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龙图腾网恭喜北京理工大学申请的专利一种基于关联随机光子晶体设计的薄膜光电池设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113659037B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110907496.0，技术领域涉及：H01L31/18；该发明授权一种基于关联随机光子晶体设计的薄膜光电池设计方法是由丁贺;彭焰秀;杨健;王涌天设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于关联随机光子晶体设计的薄膜光电池设计方法在说明书摘要公布了：一种基于关联随机光子晶体设计的薄膜光电池设计方法，包括：1薄膜太阳能电池组的准备；2在C‑Si层的顶部绘制二维光子晶体结构，计算整个堆栈的吸收；3对二维光子晶体结构的参数选择优化；4利用微扰方法引入关联的无序结构；5采用非偏振光在正入射时模拟太阳照明，用严格耦合波分析方法研究伪无序晶体结构的吸收性能，确定使吸收净增加的设计准则；6随机生成不同无序结构；7形成伪无序纳米图案；8使用CHF3反应离子蚀刻，将有机玻璃转移到SiO2层；9使用SF6:Ar混合物将有机玻璃转移到C‑Si层；10用连续的铟锡氧化物层覆盖图案C‑Si层，作为薄膜太阳能电池的透明前端电极；11利用微观反射率装置测定薄膜的吸收。

本发明授权一种基于关联随机光子晶体设计的薄膜光电池设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于关联随机光子晶体设计的薄膜光电池设计方法，其特征在于：其包括以下步骤：1薄膜太阳能电池组的准备；将C-Si层粘结在一个1μm厚的铝层上，作为后视镜和背面接触；2在C-Si层的顶部绘制二维光子晶体结构，计算整个堆栈的吸收，对仿真所用的阶数和波长步长进行选择，得到精确的数值结果；3对二维光子晶体结构的三个参数进行选择优化，通过扫描搜索这三个参数在技术上现实的范围确定二维光子晶体结构的最高电流密度，得到完全优化的二维光子晶体结构；二维光子晶体结构的三个参数包括周期Λ、空气界面填充分数ff、腐蚀深度h,其中ff＝πr2Λ2，r为圆柱孔的半径；4利用微扰方法引入一种关联的无序结构，超晶胞的每个洞都从原来的位置移动，孔的位移距离为dp，位移角为α；5从25nm到75nm的范围选取5个不同的平均位移值，对于每一个选定的均值平移值，模拟不同的结构，确定集群中元素的间距和重心的关系；采用非偏振光在正入射时模拟太阳照明，用严格耦合波分析方法研究这些伪无序晶体结构的吸收性能，确定使吸收净增加的设计准则；6随机生成不同无序结构，通过集群中元素的间距和重心的关系筛序伪无序设计，用优化后的伪无序结构代替优化后的方形孔洞晶格；7在晶体的堆栈顶部沉积的薄有机玻璃抗蚀剂中利用电子束光刻技术形成伪无序纳米图案，称为伪无序晶体结构；8使用CHF3反应离子蚀刻，将有机玻璃转移到SiO2层；9使用SF6:Ar混合物将有机玻璃转移到C-Si层，SiO2层的其余部分保持在Si图案的顶部；10用连续的铟锡氧化物层覆盖图案C-Si层，作为薄膜太阳能电池的透明前端电极；11利用微观反射率装置测定薄膜的吸收，一束平行的白光通过长焦显微镜物镜聚焦到纳米图案结构上，该结构的反射光通过物镜收集，然后使用光谱仪进行分析。

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