恭喜海光信息技术股份有限公司夏丁福获国家专利权
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龙图腾网恭喜海光信息技术股份有限公司申请的专利芯片静态功耗的预测方法、装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113988469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-09-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111366571.3，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权芯片静态功耗的预测方法、装置、电子设备和存储介质是由夏丁福;张太白;陆毅设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片静态功耗的预测方法、装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种芯片静态功耗的预测方法及装置，包括：获取待测芯片的当前工作电压；根据待测芯片的静态漏电流与工作电压关系模型以及当前工作电压，得到当前工作电压下的静态漏电流；根据静态漏电流和当前工作电压，得到待测芯片在当前工作电压下的静态功耗。本发明能够获得芯片在特定电压下的静态功耗。
本发明授权芯片静态功耗的预测方法、装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种芯片静态功耗的预测方法，其特征在于，包括：获取待测芯片的当前工作电压；根据待测芯片的静态漏电流与工作电压关系模型以及所述当前工作电压，得到所述当前工作电压下的静态漏电流；根据所述静态漏电流和所述当前工作电压，得到待测芯片在所述当前工作电压下的静态功耗；其中对于任意一颗待测芯片，该颗待测芯片的静态漏电流与工作电压关系模型的表达式为：Sidd=expa*Vdd+b+c，Sidd为静态漏电流，Vdd为工作电压，a，b，c为模型参数，exp表示以e为底的指数函数，expa*Vdd+b用来模拟指数漏电流，模型参数c用来模拟在指数漏电流之外的额外静态漏电流。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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