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龙图腾网恭喜广东工业大学申请的专利一种紫外LED光源倒装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107507896B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201710873379.0，技术领域涉及：H01L33/38；该发明授权一种紫外LED光源倒装结构是由何苗;杨思攀;王成民;周海亮;王润设计研发完成，并于2017-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种紫外LED光源倒装结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种紫外LED光源倒装结构，包括：衬底，在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层。贯穿金属反射层以及部分电流扩展层的第一电极凹槽；贯穿n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层的第二电极凹槽；与第一电极凹槽接触连接的p电极，与第二电极凹槽接触连接的n电极；设置于外延层结构背离衬底一侧的环形金属条结构，环形金属条结构对p电极以及n电极进行环形包裹，且与p电极连接，与n电极不连接。该紫外LED光源倒装结构具有发光效率高、防静电释放危害、散热快、抗老化及可靠性高等优点。

本发明授权一种紫外LED光源倒装结构在权利要求书中公布了：1.一种紫外LED光源倒装结构，其特征在于，所述紫外LED光源倒装结构包括：衬底；设置在所述衬底上的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的缓冲及成核层、超晶格结构、n型导电层、量子阱有源区、电子阻挡层、p型导电层、电流扩展层以及金属反射层；其中，所述第一方向垂直于所述衬底、且由所述衬底指向所述外延层结构；贯穿所述金属反射层以及部分所述电流扩展层的第一电极凹槽；贯穿所述n型导电层、所述量子阱有源区、所述电子阻挡层、所述p型导电层、所述电流扩展层以及所述金属反射层的第二电极凹槽；与所述第一电极凹槽接触连接的p电极，与所述第二电极凹槽接触连接的n电极；设置于所述外延层结构背离所述衬底一侧的环形金属条结构，所述环形金属条结构对所述p电极以及所述n电极进行环形包裹，且与所述p电极连接，与所述n电极不连接，所述环形金属条结构构成与所述紫外LED光源倒装结构的内部氮化物相互平行的电容器结构；所述环形金属条结构包括若干未封闭的环形金属线条；所述环形金属条结构包围所述p电极以及所述n电极；且通过所述环形金属线条使所述环形金属条结构与所述p电极连接；所述n电极相对两边的所述环形金属条结构呈现对称式分布，且所述环形金属条结构与所述n电极不连接；所述紫外LED光源倒装结构还包括：设置于所述第二电极凹槽底部的金属层；分别设置于所述第一电极凹槽内部侧壁以及所述第二电极凹槽内部侧壁的绝缘层；分别设置于所述第一电极凹槽内部侧壁以及所述第二电极凹槽内部侧壁背离所述绝缘层一侧的电极接触结构。

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