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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109727971B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810987026.8，技术领域涉及：H01L27/02；该发明授权集成电路结构是由郭锡瑜;朱又麟设计研发完成，并于2018-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成电路结构在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种集成电路结构。集成电路结构包括P型基底、在P型基底的深N型井区、在深N型井区上的第一N型井区、在第一N型井区的第一N型掺杂区、第二N型井区、第一P型井区与放电电路。第二N型井区与第一P型井区在P型基底中且与深N型井区分离。放电电路包括在第一P型井区的第一P型掺杂区、在第二N型井区的第一PMOS晶体管、第一电性路径以及第二电性路径。第一电性路径耦接于第一PMOS晶体管的源极与第一N型掺杂区之间。第二电性路径耦接于第一PMOS晶体管的漏极与第一P型掺杂区之间。

本发明授权集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种集成电路结构，包括：一P型基底；一深N型井区，形成在上述P型基底中；一第一N型井区，形成在上述深N型井区上；一第一N型掺杂区，形成在上述第一N型井区中；一第二N型井区，形成在上述P型基底中且与上述深N型井区分离；一第一P型井区，形成在上述P型基底中且与上述深N型井区分离；以及一放电电路，包括：一第一P型掺杂区，形成在上述第一P型井区中；一第一PMOS晶体管，形成在上述第二N型井区中；一第一电性路径，耦接于上述第一PMOS晶体管的源极与上述第一N型掺杂区之间；以及一第二电性路径，耦接于上述第一PMOS晶体管的漏极与上述第一P型掺杂区之间。

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