恭喜英飞凌科技股份有限公司H-J.舒尔策获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利在碳化硅中形成半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110299323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910221603.7，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权在碳化硅中形成半导体器件是由H-J.舒尔策;R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯设计研发完成，并于2019-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本在碳化硅中形成半导体器件在说明书摘要公布了：在碳化硅中形成半导体器件。一种方法包括提供由碳化硅衬底（130）支撑的外延的碳化硅的第一层（101）；以及在第一层（101）上提供外延的碳化硅的第二层（102）；以及在第二层（102）中形成多个半导体器件（105,105‑1,105‑2,105‑3）；以及在第一层（101）处将衬底（130）与第二层（102）分离。第一层（101）包括多个孔隙。
本发明授权在碳化硅中形成半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种方法，包括：–提供由碳化硅衬底130支撑的多孔碳化硅的第一层101，–在第一层101上提供外延的碳化硅的第二层102，–在第二层102中形成多个半导体器件105,105-1,105-2,105-3，以及–在第一层101处将衬底130与第二层102分离，其中所述第一层的提供包括使用外延生长工艺，其中用于提供第一层的外延生长工艺使用关于衬底的结晶面的偏离取向方向，并且其中所述碳化硅衬底可以在分离所述衬底130之后被重用。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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