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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110739307B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910529268.7，技术领域涉及：H01L27/092；该发明授权半导体器件是由河承锡;朴敬美;宋炫昇;千健龙;河大元设计研发完成，并于2019-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件包括：N型金属氧化物半导体NMOS区中的第一鳍图案和第二鳍图案，第一鳍图案和第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及P型金属氧化物半导体PMOS区中的第三鳍图案和第四鳍图案，第三鳍图案和第四鳍图案均与第一鳍图案和第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开。第一隔离层和第二隔离层分别设置在第一沟槽和第二沟槽中。第一栅电极沿横切第一方向的第二方向纵向延伸，并与第一鳍图案相交。第二栅电极沿第二方向纵向延伸，并与第二鳍图案相交。间隔开的第三栅电极和第四栅电极在第二隔离层上沿第二方向纵向延伸。

本发明授权半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：衬底，包括：所述衬底的N型金属氧化物半导体NMOS区中的第一鳍图案和第二鳍图案，所述第一鳍图案和所述第二鳍图案均沿第一方向纵向延伸，并且通过第一沟槽分开；以及所述衬底的P型金属氧化物半导体PMOS区中的第三鳍图案和第四鳍图案，所述第三鳍图案和所述第四鳍图案均与所述第一鳍图案和所述第二鳍图案中的相应鳍图案平行地沿所述第一方向纵向延伸，并且通过第二沟槽分开；所述第一沟槽中的第一隔离层；所述第二沟槽中的第二隔离层；第一栅电极，沿横切所述第一方向的第二方向纵向延伸并与所述第一鳍图案相交；第二栅电极，沿所述第二方向纵向延伸并与所述第二鳍图案相交；第三栅电极，在所述第二隔离层上沿所述第二方向纵向延伸；以及第四栅电极，在所述第二隔离层上沿所述第二方向纵向延伸，并与所述第三栅电极间隔开。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。