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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十四研究所申请的专利一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110943729B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911333232.8，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关是由杨格亮;廖春连;陈明辉;王旭东;魏伟;吴迪设计研发完成，并于2019-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关在说明书摘要公布了：本发明公开了一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，属于射频集成电路技术领域。该开关由四个NMOS晶体管、四个片上电阻器、三个片上电感器、射频发射端口、射频接收端口、天线端口、收发选择控制端口和接地端口组成，其中，TX支路采用一个NMOS晶体管和两个片上电感组成的单串联结构，RX支路采用三个NMOS晶体管和一个片上电感组成的串联‑并联结构。本发明能够有效降低TX支路的损耗、提升TX支路的线性度有利于TX通道的功率传输，可用于毫米波超宽带相控阵系统前端，实现高集成度、高性能的收发切换。

本发明授权一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关在权利要求书中公布了：1.一种CMOS毫米波串联非对称单刀双掷开关，其特征在于，包括第一～第四NMOS晶体管M1、M2、M3、M4，第一～第四片上电阻器R1、R2、R3、R4，第一～第三片上电感器L1、L2、L3，射频信号接收端口RX，射频信号发射端口TX，天线端口ANT，第一、第二控制端口，以及接地端口GND；所述的第一NMOS晶体管M1与第一片上电阻器R1，第一、第二片上电感器L1、L2，第一控制端口，以及射频信号发射端口TX一起组成TX支路；其中，射频信号发射端口TX与第一NMOS晶体管M1的源极相连，第一片上电感器L1的两端并联跨接在第一NMOS晶体管M1的源极和漏极上，第一NMOS晶体管M1的栅极连接到第一片上电阻器R1的一端，第一片上电阻器R1的另一端连接到第一控制端口上，第一NMOS晶体管M1的漏极与第二片上电感器L2的一端相连，第二片上电感器L2的另一端连接到天线端口ANT上；所述的第二～第四NMOS晶体管M2、M3、M4与第二～第四片上电阻器R2、R3、R4，第三片上电感器L3，第一、第二控制端口，射频信号接收端口RX，以及接地端口GND一起组成RX支路；其中，第二NMOS晶体管M2的漏极连接到天线端口ANT上，第二NMOS晶体管M2的栅极与第二片上电阻器R2的一端相连，第二片上电阻器R2的另一端连接到第二控制端口上，第二NMOS晶体管M2的源极与第三NMOS晶体管M3的漏极相连，第三NMOS晶体管M3的栅极与第三片上电阻器R3的一端相连，第三片上电阻器R3的另一端连接到第二控制端口上，第三NMOS晶体管M3的源极连接到射频信号接收端口RX，第四NMOS晶体管M4的漏极也连接到射频信号接收端口RX，第四NMOS晶体管M4的源极连接到接地端口GND，第四NMOS晶体管M4的栅极与第四片上电阻器R4的一端相连，第四片上电阻器R4的另一端连接到第一控制端口，第三片上电感器L3连接在射频信号接收端口RX与接地端口GND之间；所述第一控制端口为正，第二控制端口为负；TX支路使能、RX支路关闭时，第一控制端口电压为1.2V，第二控制端口电压为0V；TX支路关闭、RX支路使能时，第一控制端口电压为0V，第二控制端口电压为1.2V。

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