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龙图腾网恭喜厦门乾照半导体科技有限公司申请的专利一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111403564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-05发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010243247.1，技术领域涉及：H01L33/02；该发明授权一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法是由林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;林志园设计研发完成，并于2020-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法，其中红外发光二极管外延结构包括：依次堆叠的衬底、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III‑V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度。可提高发光二极管稳定性及抗老化性能。

本发明授权一种红外发光二极管外延结构、芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种红外发光二极管外延结构，其特征在于，包括：衬底；沿第一方向依次堆叠的N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源区、P型限制层、P型电流扩展层及复合欧姆接触层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述N型欧姆接触层；所述复合欧姆接触层包括沿所述第一方向依次交替堆叠的P型欧姆接触层和改性层；所述改性层包括III-V族化合物层，且禁带宽度大于所述P型欧姆接触层的禁带宽度；其中，所述复合欧姆接触层沿所述第一方向的最后一层为改性层；所述最后一层改性层的厚度大于其他改性层的厚度；所述P型欧姆接触层的禁带宽度值为E，则所述改性层的禁带宽度值为E+0.01eV至E+0.5eV，包括端点值；所述P型欧姆接触层包括AlGaAs层，所述改性层包括AlGaInAsP层。

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