恭喜苏州英嘉通半导体有限公司官婧雯获国家专利权
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龙图腾网恭喜苏州英嘉通半导体有限公司申请的专利基于衬底剥离工艺的氮化镓器件获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN221977863U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-08发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202420196981.0,技术领域涉及:H01L21/335;该实用新型基于衬底剥离工艺的氮化镓器件是由官婧雯;蒋胜;柳永胜设计研发完成,并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于衬底剥离工艺的氮化镓器件在说明书摘要公布了:本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种基于衬底剥离工艺的氮化镓器件,在氮化镓器件的底部蓝宝石基底替换为金属种子层及金属电极层,对于水平器件,大大提高了其散热效能,对于垂直器件,直接降低了制作成本。本实用新型通过传统蓝宝石衬底剥离技术后直接电镀金属的方式,以高导热性的金属作为散热衬底,同时也避免了使用其他散热基板的需要,相比传统基于衬底剥离的散热方案,工艺更简单,成本也更低。
本实用新型基于衬底剥离工艺的氮化镓器件在权利要求书中公布了:1.一种基于衬底剥离工艺的氮化镓水平器件,其特征在于:所述氮化镓器件包括HEMT结构和HEMT结构下方形成的缓冲层,所述HEMT结构顶部为栅极金属电极、源极金属电极以及漏极金属电极,所述缓冲层下方为金属种子层及金属电极层。
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