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龙图腾网恭喜江苏和睿半导体科技有限公司申请的专利一种SOT26-14R芯片框架结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221977930U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-08发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202323464790.2，技术领域涉及：H01L23/495；该实用新型一种SOT26-14R芯片框架结构是由郑石磊;郑振军;周春健设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOT26-14R芯片框架结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种SOT26‑14R芯片框架结构，其特征在于：包括框架本体；通过在芯片固定单元的一端设置锁胶孔；使得框架与用于封装的胶体连接更紧密，防止在芯片封装之后框架与胶体松脱；采用在管脚上设置焊接部和避让部，且通过焊接部宽度较大的方式，以便于金属线与管脚进行连接，同时通过避让部，使得产品在切割后，金属部分距离较远，防止由于金属切割形成的细小毛刺影响产品性能，提高产品合格率，保证产品爬电距离符合标准；此外，管脚的焊接部进行合理的分配，提高空间利用率，以获取更低的导通电阻，获取良好的电气性能。

本实用新型一种SOT26-14R芯片框架结构在权利要求书中公布了：1.一种SOT26-14R芯片框架结构，其特征在于：包括框架本体，其内置有基料，基料被矩阵分隔形成多个芯片固定单元，每个芯片安装框架包括一对基岛，且每个基岛两侧分别设有三个管脚，分别为上管脚和下管脚；所述芯片固定单元的一端设置有镂空部分，且该置于基岛一端的镂空部分为锁胶孔；在幅宽方向上相邻的两个芯片固定单元的端角位置处开有分隔孔，所述分隔孔呈矩形结构；所述管脚包括焊接部和避让部，所述焊接部的宽度大于避让部的宽度，且避让部朝向远离基岛的方向；所述基岛上表面和管脚的焊接部上表面设有电镀涂层；所述基岛的下表面以及管脚的下表面具有通过半蚀刻工艺进行刻蚀的深度为0.695±0.05mm的半刻蚀区域；所述上管脚包括第一管脚、第二管脚和第三管脚；所述下管脚包括第四管脚、第五管脚和第六管脚；且第一管脚与第四管脚对应，第二管脚与第五管脚对应，第三管脚与第六管脚对应；所述第一管脚的焊接部区域小于第四管脚焊接部区域；所述第二管脚焊接部区域大于第五管脚焊接部区域；所述第三管脚焊接部区域大于第六管脚焊接部区域；所述管脚的焊接部距边缘位置的最大缺银允许值为0.05mm。

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