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龙图腾网恭喜迈来芯科技有限公司申请的专利用于苛刻介质的基于CMOS的器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610939B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910522640.1，技术领域涉及：H01L27/092；该发明授权用于苛刻介质的基于CMOS的器件是由A·J·范德维尔设计研发完成，并于2019-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于苛刻介质的基于CMOS的器件在说明书摘要公布了：本申请公开了用于苛刻介质的基于CMOS的器件。一种半导体器件100，包括：第一掺杂半导体层112、第二掺杂半导体层122、氧化物层127，并且包括互连129，该氧化物层127覆盖第一掺杂半导体层112和第二掺杂半导体层122；第一掺杂半导体层借助互连129与第二掺杂半导体层122电连接，该互连129跨越第二掺杂半导体层122的侧壁133；互连包括所述氧化物层127中的金属填充的狭缝123；至少一个电子组件115，被形成在第一半导体层112和或第二半导体层122中；该半导体器件还包括钝化层128，该钝化层128覆盖第一掺杂半导体层112、第二掺杂半导体层122和氧化物层127。

本发明授权用于苛刻介质的基于CMOS的器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件100，包括：第一掺杂半导体层112、第二掺杂半导体层122、氧化物层127，并且包括互连129，所述氧化物层127覆盖所述第一掺杂半导体层112和所述第二掺杂半导体层122，其中，所述互连的第一部分与所述第一掺杂半导体层112电连接，并且所述互连的第二部分与所述第二掺杂半导体层122电连接，并且其中，所述互连在所述第一部分与所述第二部分之间的部分跨越所述第二掺杂半导体层122的侧壁133，其中，所述互连包括所述氧化物层127中的金属填充的狭缝123，并且其中，至少一个电子组件115被形成在所述第一掺杂半导体层112和或所述第二掺杂半导体层122中，所述半导体器件还包括化学计量晶体钝化层128，所述化学计量晶体钝化层128覆盖所述第一掺杂半导体层112、所述第二掺杂半导体层122、所述氧化物层127、以及所述互连129。

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