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龙图腾网恭喜中国科学院福建物质结构研究所申请的专利一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和光电探测、光催化、吸波应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115739121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211425240.7，技术领域涉及：B01J27/04；该发明授权一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和光电探测、光催化、吸波应用是由江凯斌;郭国聪;王明盛;徐忠宁设计研发完成，并于2022-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和光电探测、光催化、吸波应用在说明书摘要公布了：本申请公开了一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和光电探测、光催化、吸波的应用，属于半导体材料领域。一种金属包覆型的复合半导体材料，所述复合半导体材料包括金属单质纳米颗粒、半导体；所述金属单质纳米颗粒包覆在所述半导体的表面和或内部。通过金属‑半导体相互作用拓宽半导体材料光响应范围、提高电荷分离效率；包覆型半导体材料兼具宽光响应范围、高电荷分离的性能。在300W的AM1.5太阳光模拟氙灯辐照下产氢效率在48小时内基本维持不变；可对300W输出波长大于420纳米的氙灯光实现光电探测；吸收范围可至太赫兹波段。

本发明授权一种金属包覆型的复合半导体材料及其制备方法和光电探测、光催化、吸波应用在权利要求书中公布了：1.一种金属包覆型的复合半导体材料，其特征在于，所述复合半导体材料包括金属单质纳米颗粒、半导体；所述金属单质纳米颗粒包覆在所述半导体的表面和或内部；所述金属包覆型的复合半导体材料通过无需引入其他物种的原位光合成法制备获得；所述复合半导体材料的制备方法，包括以下步骤：将含有半导体的混合物置于容器中，超声、紫外光照得到所述复合半导体材料；所述半导体选自硫属化合物半导体；所述金属单质纳米颗粒来自所述半导体；所述半导体选自ZnO、CdO、ZnS、CdS、Ag2S、AgGaS2、In2Se3中的至少一种。

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