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龙图腾网恭喜武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利垂直电荷转移成像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073377B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211477404.0，技术领域涉及：H01L27/146；该发明授权垂直电荷转移成像传感器及其制作方法是由曹开玮;孙鹏设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直电荷转移成像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种垂直电荷转移成像传感器及其制作方法。所述垂直电荷转移成像传感器中，浅沟槽隔离和深沟槽隔离形成于半导体衬底一侧，所述深沟槽隔离包括贯穿半导体衬底的深沟槽以及填充于深沟槽内的沟槽电极和第一隔离介质，所述深沟槽隔离在像素区限定出多个衬底单元，每个衬底单元包括被浅沟槽隔离分隔的感光区和电荷读取区，衬底电极形成于半导体衬底的另一侧，所述衬底电极与各衬底单元接触且与沟槽电极隔离。所述深沟槽隔离在各个像素之间形成物理隔离，能够确保光电转换效率，有效避免像素之间的串扰，有利于像素微缩，并且，所述沟槽电极为垂直电荷转移成像传感器提供了一个可操作的电极端，可实现多样化的操作方式。

本发明授权垂直电荷转移成像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直电荷转移成像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括像素区；浅沟槽隔离和深沟槽隔离，形成于所述半导体衬底的一侧，所述深沟槽隔离包括贯穿所述半导体衬底的深沟槽以及填充于所述深沟槽内的沟槽电极和第一隔离介质，所述第一隔离介质使所述沟槽电极和所述半导体衬底绝缘，所述深沟槽隔离在所述像素区限定出多个衬底单元，每个所述衬底单元包括被所述浅沟槽隔离分隔的感光区和电荷读取区；栅介质层、浮栅、栅间介质层和控制栅，在各所述衬底单元的表面堆叠且从所述感光区延伸至所述电荷读取区，所述电荷读取区中形成有分别位于相应所述控制栅两侧的源区和漏区；以及衬底电极，形成于所述半导体衬底的另一侧，所述衬底电极与各所述衬底单元接触且与所述沟槽电极隔离；其中，所述衬底单元与所述控制栅为对应于所述感光区形成的电容的两个极板，所述衬底电极用于向所述衬底单元构成的极板施加电压，所述沟槽电极用于在所述深沟槽隔离内形成一电极端。

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