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龙图腾网恭喜上海空间电源研究所申请的专利氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111585534.1，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池是由徐建明;郑通;马宁华;蒋帅;陈国铃;宋琳琳;杨瑰婷;顾伟伟设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池，制备方法包括：将金属薄膜放置于MOCVD系统腔体的靶台上，抽真空至＜10‑4Torr；通入氢气和氩气，气体流量50sccm‑100sccm，靶台温度800℃‑1100℃；停止通入氢气和氩气，通入甲烷，气体流量25sccm‑50sccm，反应时间0.5h‑3h；停止通入甲烷，在可见光照射下，通入氯气，气体流量30sccm‑70sccm，靶台温度550℃‑750℃，反应时间0.5h‑2h；停止通入氯气，以5℃s‑20℃s的速率降温至室温，获得所述的氯化石墨烯材料。该方法制备的材料宽光谱透明度高、面密度低、吸波性能好、环境适应性强。

本发明授权氯化石墨烯材料、制备方法及隐身空间太阳电池在权利要求书中公布了：1.一种氯化石墨烯材料的制备方法，其特征在于，包括：利用光刻反应在金属薄膜上制备图形化微结构；将所述金属薄膜放置于MOCVD系统腔体的靶台上，抽真空至＜10-4Torr；通入氢气和氩气，气体流量50sccm-100sccm，靶台温度800℃-1100℃；停止通入氢气和氩气，通入甲烷，气体流量25sccm-50sccm，反应时间0.5h-3h，以甲烷作为碳源，利用甲烷高温分解，在所述金属薄膜上沉积石墨烯，制备本征石墨烯材料；停止通入甲烷，在可见光照射下，通入氯气，气体流量30sccm-70sccm，靶台温度550℃-750℃，反应时间0.5h-2h；停止通入氯气，以5℃s-20℃s的速率降温至室温，获得所述的氯化石墨烯材料；后处理，对所述氯化石墨烯材料进行去胶、酸洗、剥离。

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