恭喜信越半导体株式会社菅原孝世获国家专利权
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龙图腾网恭喜信越半导体株式会社申请的专利硅单晶的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115103934B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080096689.6，技术领域涉及：C30B29/06；该发明授权硅单晶的制造方法是由菅原孝世;星亮二;太田友彦设计研发完成，并于2020-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本硅单晶的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度在容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮。由此，能够在达成低碳浓度规格的同时，以低成本实现目标的氮掺杂量。
本发明授权硅单晶的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅单晶的制造方法，其为在熔融开始前的原料中导入氮化硅粉末并通过切克劳斯基法提拉掺杂有氮的硅单晶的硅单晶的制造方法，其特征在于，基于所述氮化硅粉末中所包含的碳杂质量，以使硅单晶中的碳浓度为容许值以下的方式限制能够使用的氮化硅粉末的上限量，从而掺杂氮，以满足下述式1的方式求出所述氮化硅粉末的所述上限量，{所述上限量[g]×所述氮化硅粉末中的碳杂质浓度[wt％]100碳原子量[gmol]}硅原料添加量[mol]≤0.32×10-61。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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