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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体管芯封装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN221994468U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-11-12发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420214998.4，技术领域涉及：H01L23/60；该实用新型半导体管芯封装是由苏淑慧;徐英杰;郑新立设计研发完成，并于2024-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体管芯封装在说明书摘要公布了：本实用新型的实施例提供一种半导体管芯封装，其包括第一集成电路管芯、与第一集成电路管芯连接的第二集成电路管芯及第一与第二导电迹线。第一集成电路管芯包括沟渠电容器、第一密封环段、与第一密封环段电性隔离的第二密封环段。第二集成电路管芯包括电源管理集成电路，其包括与第一极性对应的第一电压端子及与和第一极性相反的第二极性对应的第二电压端子。第一导电迹线连接沟渠电容器、第一密封环段及第一电压端子，第二导电迹线连接沟渠电容器、第二密封环段及第二电压端子。藉由在密封环结构中包括放电路径可降低在接合操作期间对集成电路管芯的逻辑电路系统造成损坏的可能性。

本实用新型半导体管芯封装在权利要求书中公布了：1.一种半导体管芯封装，其特征在于，包括：第一集成电路管芯，包括：沟渠电容器；第一密封环段；以及第二密封环段，与所述第一密封环段电性隔离；第二集成电路管芯，与所述第一集成电路管芯连接且包括：电源管理集成电路，包括：第一电压端子，与第一极性对应；以及第二电压端子，与和所述第一极性相反的第二极性对应；第一导电迹线，连接所述沟渠电容器、所述第一密封环段及所述第一电压端子；以及第二导电迹线，连接所述沟渠电容器、所述第二密封环段及所述第二电压端子。

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