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龙图腾网恭喜昆明理工大学津桥学院申请的专利违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN107769558B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2024-12-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201711087105.5，技术领域涉及：H02M3/158；该发明授权违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块是由熊浩设计研发完成，并于2017-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块在说明书摘要公布了：本发明提供一种违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块，包括电解电容C1、稳压二极管VZD1、稳压二极管VZD2、P沟道型MOSFETQ1、NPN型三极晶体管Q2、PNP型三极晶体管Q3、NPN型三极晶体管Q4、电压比较器芯片LM293U1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7。本发明提供可以把摄像头及补光灯系统的供电电压稳定在23伏至24伏，同时稳定提供500mA至8A的工作电流，因此可以有效保障摄像头抓拍系统稳定工作拍出高质量图片，同时有效防止系统或供电电源被抓拍瞬间大电流损坏，从而大幅提升抓拍效果，及降低设备维护率。

本发明授权违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块在权利要求书中公布了：1.一种违章抓拍摄像系统大电流稳压电路模块，其特征在于：包括电解电容C1（2）、稳压二极管VZD1（14）、稳压二极管VZD2（15）、P沟道型MOSFETQ1（4）、NPN型三极晶体管Q2（9）、PNP型三极晶体管Q3（12）、NPN型三极晶体管Q4（13）、电压比较器芯片LM293U1（10）、电阻R1（1）、电阻R2（3）、电阻R3（5）、电阻R4（11）、电阻R5（7）、电阻R6（6）、电阻R7（8）；所述三极晶体管Q2（9）基极接电压比较器芯片LM293U1（10）引脚1；所述三极晶体管Q2（9）集电极接电容C1（2）下端、电阻R2（3）下端、稳压二极管VZD2（15）上端、P沟道型MOSFETQ1（4）栅极，和三极晶体管Q3（12）集电极；所述三极晶体管Q2（9）发射极接电阻R1（1）下端和稳压二极管VZD1（14）上端；所述P沟道型MOSFETQ1（4）源极接电阻R1（1）上端、电容C1（2）上端、电阻R2（3）上端、三极晶体管Q3（12）发射极，和直流24V输入端；所述P沟道型MOSFETQ1（4）漏极接电阻R3（5）上端、电阻R5（7）左端，和电阻R6（6）左端；所述电压比较器芯片LM293U1（10）引脚4接地，引脚8接+5V电压，引脚3接+5V电压，引脚2接电阻R3（5）下端和电阻R4（11）上端；所述三极晶体管Q3（12）基极接三极晶体管Q4（13）集电极；所述三极晶体管Q4（13）发射级接地；所述三极晶体管Q4（13）基级接电阻R6（6）右端和电阻R7（8）左端；所述电阻R5（7）右端接电阻R7（8）右端和抓拍摄像头及补光灯；所述电阻R4（11）下端接地；所述稳压二极管VZD1（14）下端接地；所述稳压二极管VZD2（15）下端接地；前级开关电源输出+24伏电压，经过电阻R2（3）和稳压二极管VZD2（15），能为P沟道型MOSFETQ1（4）栅极与源极提供了-9伏的一个开启电压；所述+24伏电压经过电阻R1（1）限流，能给稳压二极管VZD1（14）提供24毫安的驱动电流，使得稳压二极管VZD1（14）能够稳压在2.7伏；所述电容C1（2）能够滤除MOSFETQ1（4）栅极与源极的高频杂波；所述电阻R3（5）、电阻R4（11）连接处用于采集电压采样信号，电压采样信号输入到电压比较器芯片LM293U1（10）引脚2，电压比较器芯片LM293U1（10）引脚3接+5伏的参考电压，其引脚8接+5伏供电电压，其引脚4接地；输出到摄像头和补光灯的电压大于22.3伏时，电压比较器芯片LM293U1（10）引脚1能够输出低电平，造成三极晶体管Q2（9）截止，能够使MOSFETQ1（4）处于正常导通供电状态，为摄像头和补光灯提供稳定电压和恒定电流；输出到摄像头和补光灯的电压等于或小于22.3伏时，电压比较器芯片LM293U1（10）引脚1能够输出高电平，造成三极晶体管Q2（9）导通，能够使MOSFETQ1（4）栅极与源极之间得到一个-20伏强导通电压，能够让MOSFETQ1（4）处于完全导通大电流供电状态，给摄像头和补光灯提供大电流的同时把电压稳定在+24伏；电阻R5（7）、电阻R6（6）、电阻R7（8）组成电流采样模块，电阻R6（6）和电阻R7（8）连接处的采样电压传输到三极晶体管Q4（13）基极；流过电阻R5（7）的电流大过14A能够使三极晶体管Q4（13）导通、三极晶体管Q3（12）导通，造成MOSFETQ1（4）栅极与源极电压降低到0.3伏，能够使MOSFETQ1（4）截止，防止了持续大电流烧毁MOSFETQ1（4）、摄像头、补光灯；所述三极晶体管Q2（9），三极晶体管Q4（13）的型号为SS8050；所述三极晶体管Q3（12）的型号为SS8550。

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