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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利比较器架构和相关的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112204883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-01-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980035621.4，技术领域涉及：H03K5/24；该发明授权比较器架构和相关的方法是由B·L·普赖斯;D·沙设计研发完成，并于2019-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本比较器架构和相关的方法在说明书摘要公布了：公开了一种系统。该系统包括配置成接收输入电压VIN和参考电压VREF的第一级M12、M14，第一级包括输入晶体管对M12、M14，其中输入电压耦合到输入晶体管对，输入晶体管对耦合到地，并且输入晶体管对在公共漏极处包括具有电压的高增益节点VHGN。该系统进一步包括第二级130，第二级耦合到高增益节点并且配置成基于输入电压和参考电压之间的差而生成输出电压VOUT，第二级包括电阻器R11和反相器晶体管对M15、M16，其中反相器晶体管对的栅极耦合到第一级的高增益节点，并且电阻器将第一级的高增益节点耦合到反相器晶体管对的公共漏极，并且配置成向和或从第一级的高增益节点提供和或汲取电流。

本发明授权比较器架构和相关的方法在权利要求书中公布了：1.一种系统，包括：第一级，所述第一级配置成接收输入电压和参考电压，所述第一级包括输入晶体管对，其中：所述输入电压耦合到所述输入晶体管对；所述输入晶体管对耦合到地；以及所述输入晶体管对在公共漏极处包括具有高增益节点电压的高增益节点；以及第二级，所述第二级耦合到所述高增益节点并且配置成基于所述输入电压和所述参考电压之间的差而生成输出电压，所述第二级包括电阻器和反相器晶体管对，其中：所述反相器晶体管对的栅极耦合到所述第一级的所述高增益节点；以及所述电阻器将所述第一级的所述高增益节点耦合到所述反相器晶体管对的公共漏极，并且所述电阻器配置成向所述第一级的所述高增益节点提供电流和或从所述第一级的所述高增益节点汲取电流。

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