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龙图腾网恭喜三星电子株式会社申请的专利包括光电元件的集成电路器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111048533B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910633453.0，技术领域涉及：H10F39/10；该发明授权包括光电元件的集成电路器件是由金净惠;赵根煐;池晧哲设计研发完成，并于2019-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括光电元件的集成电路器件在说明书摘要公布了：提供了一种集成电路IC器件，其包括光学IC衬底、位于所述光学IC衬底内部的局部沟槽和光电元件，所述光电元件包括掩埋在所述局部沟槽内部的光电转换层。所述光电转换层掩埋在所述光学IC衬底中的所述局部沟槽内部以形成所述光电元件。因此，所述IC器件可以抑制所述光学IC衬底的翘曲。

本发明授权包括光电元件的集成电路器件在权利要求书中公布了：1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：光学集成电路衬底；局部沟槽，所述局部沟槽形成在所述光学集成电路衬底中；光电元件，所述光电元件包括形成在所述局部沟槽中的光电转换层；以及光波导，所述光波导光耦合到所述光电元件的所述光电转换层，其中，所述光波导的最下表面高于所述光电转换层的最下表面，其中，所述光电转换层的最下表面接触所述光学集成电路衬底在所述局部沟槽中的上表面，其中，所述光电转换层包括多个半导体层，所述多个半导体层包括第一半导体层和位于所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第一半导体层包括未掺杂的本征半导体材料，所述第二半导体层包括掺杂的半导体材料，所述第一半导体层的最上表面被形成为位于与所述光波导的所述最下表面相同的水平高度处或者位于比所述光波导的所述最下表面低的水平高度处。

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