买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜堺显示器制品株式会社申请的专利薄膜晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112740420B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201880096405.6，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制造方法是由大田裕之;井上智博设计研发完成，并于2018-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：薄膜晶体管101具有栅极2；半导体层4，在栅极上隔着栅极绝缘层3配置；源极8s，在半导体层4的一部分上隔着第一接触层Cs配置；漏极8d，在另一部分上隔着第二接触层Cd配置,第一和第二接触层具有包含第一非晶硅层和N个N为1以上的整数双层结构Snn为1以上且N以下的整数的层叠结构，所述第一非晶硅层与所述源电极或所述漏电极直接接触,所述N个双层结构Sn分别由第二非晶硅层72n、与第二非晶硅层72n的上表面直接接触的第三非晶硅层73n构成,各双层结构Sn的第二非晶硅层以及第三非晶硅层中的n型杂质浓度C2n、C3n和第一非晶硅层的n型杂质浓度Cl对于任意的n,满足C2nC3nC1的关系。

本发明授权薄膜晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管,其特征在于,包括：基板;栅极,被所述基板支承;栅极绝缘层,覆盖所述栅极;半导体层，其为配置在所述栅极绝缘层上的半导体层,所述半导体层包括:第一区域、第二区域以及位于所述第一区域和所述第二区域之间的沟道区域;第一接触层,配置于所述半导体层的所述第一区域上;第二接触层,配置在所述半导体层的所述第二区域上;源极,配置在所述第一接触层上,经由所述第一接触层与所述第一区域电连接;漏极,配置在所述第二接触层上,经由所述第二接触层与所述第二区域电连接，所述第一接触层和所述第二接触层分别具有层叠结构，所述层叠结构包含：第一非晶硅层，其与所述源极或所述漏极直接接触；N个双层结构Sn，其中N为3以上的整数，n为1以上且N以下的整数,所述N个双层结构Sn分别由第二非晶硅层、与所述第二非晶硅层的上表面直接接触的第三非晶硅层构成；以及第四非晶硅层，其与所述半导体层的所述第一区域或所述第二区域直接接触，在将所述双层结构Sn分别具有的所述第二非晶硅层中含有的n型杂质的浓度设为C2n，将所述第三非晶硅层中含有的n型杂质的浓度设为C3n，将所述第一非晶硅层中含有的n型杂质的浓度设为C1时,对于任意的n,满足C2nC3nC1的关系，所述第四非晶硅层中含有的n型杂质的浓度C4对于任意的n,满足C3n＜C4的关系。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人堺显示器制品株式会社，其通讯地址为：日本国大阪府堺市堺区匠町1番地；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。