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龙图腾网恭喜联发科技股份有限公司申请的专利半导体封装组件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113066792B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110163880.4，技术领域涉及：H01L23/31；该发明授权半导体封装组件及其形成方法是由张嘉诚;彭逸轩;林子闳设计研发完成，并于2018-08-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体封装组件及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体封装组件，包括：半导体晶粒和第一存储器晶粒，设置在基板的第一表面上，其中所述第一存储器晶粒包括面向所述半导体晶粒的第一边缘，并且所述半导体晶粒包括：外围区域，具有面向所述第一存储器晶粒的第一边缘的第二边缘和与所述第二边缘相对的第三边缘；以及电路区域，由所述外围区域围绕，其中所述电路区域具有与所述第二边缘相邻的第四边缘和与所述第三边缘相邻的第五边缘，其中，所述第二边缘和所述第四边缘之间的距离为第一距离，所述第三边缘和所述第五边缘之间的距离为第二距离，所述第一距离不同于所述第二距离。这样使半导体晶粒与存储器晶粒之间的距离保持与先前一致，保证了封装的结构稳定性。

本发明授权半导体封装组件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装组件，其特征在于，包括：半导体晶粒和第一存储器晶粒，设置在基板或中间层的第一表面上，其中所述第一存储器晶粒包括面向所述半导体晶粒的第一边缘，并且所述半导体晶粒包括：外围区域，具有面向所述第一存储器晶粒的第一边缘的第二边缘和与所述第二边缘相对的第三边缘；以及电路区域，由所述外围区域围绕，其中所述电路区域具有与所述第二边缘相邻的第四边缘和与所述第三边缘相邻的第五边缘，其中，所述第二边缘和所述第四边缘之间的距离为第一距离，所述第三边缘和所述第五边缘之间的距离为第二距离，所述第一距离不同于所述第二距离。

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