恭喜新电元工业株式会社小笠原淳获国家专利权
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龙图腾网恭喜新电元工业株式会社申请的专利半导体装置的制造方法以及半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN112204716B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-11发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201880010959.X,技术领域涉及:H01L21/322;该发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置是由小笠原淳;伊东浩二设计研发完成,并于2018-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置的制造方法以及半导体装置在说明书摘要公布了:半导体装置的制造方法,具有:在包含第一金属以及第二金属的金属容器100内投入玻璃材料、或在包含第一金属的金属容器100内投入第二金属以及玻璃材料的工序;在第一期间内,通过以第一加热温度将所述玻璃材料溶融在所述金属容器100内,从而生成含有所述第一金属或含有所述第二金属的含金属玻璃组分100的工序;以及将所述含金属玻璃组分设置在半导体层的工序。
本发明授权半导体装置的制造方法以及半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包括:在包含第一金属以及第二金属的金属容器内投入玻璃材料、或在包含第二金属的金属容器内投入第一金属以及玻璃材料的工序;在第一期间内,通过以第一加热温度将所述玻璃材料溶融在所述金属容器内,从而生成含有所述第一金属或含有所述第二金属的含金属玻璃组分的工序;以及将所述含金属玻璃组分设置在半导体层的工序,所述第一加热温度比所述第一金属的熔点更高,且比所述第二金属的熔点更低,所述第一金属是金,所述第二金属是铂。
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