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龙图腾网获悉北京大学申请的专利悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118191022B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410322459.7，技术领域涉及：G01N27/00；该发明授权悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法是由刘海洋;肖梦梦;张志勇设计研发完成，并于2024-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法，属于生物传感器技术领域，所述方法包括：制备阵列碳纳米管，并提供一衬底，在衬底上方的两侧位置处分别形成第一源极和第一漏极；使得阵列碳纳米管悬浮在第一源极和第一漏极之间；形成第二源极和第二漏极；形成高K介质层；在覆盖裸露的阵列碳纳米管的高K介质层表面沉积金纳米颗粒层，在金纳米颗粒层的表面形成DNA探针。本申请提供的方法，极大地减小了来自背底材料的散射，从而显著降低了背底噪声的影响，提高生物传感器的信噪比，在形成高K介质层后对阵列碳纳米管形成全包覆，显著提高栅极控制能力；可以实现对aM级别的浓度的目标物的高灵敏度检测，并呈现出优异的线性度。

本发明授权悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种悬空阵列碳纳米管场效应晶体管生物传感器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：制备阵列碳纳米管（1），并提供一衬底（2），在衬底（2）上方的两侧位置处分别形成第一源极（31）和第一漏极（41）；将阵列碳纳米管（1）转移至第一源极（31）和第一漏极（41）之间的间隙上方，使得阵列碳纳米管（1）悬浮在第一源极（31）和第一漏极（41）之间；在裸露的第一源极（31）上方、裸露的第一漏极（41）上方以及阵列碳纳米管（1）上方的部分区域上形成第二源极（32）和第二漏极（42）；形成覆盖裸露的第二源极（32）、裸露的第二漏极（42）以及裸露的阵列碳纳米管（1）的高K介质层（5）；在覆盖裸露的阵列碳纳米管（1）的高K介质层（5）表面沉积金纳米颗粒层（6），然后形成包覆裸露的高K介质层（5）的钝化层（7），以对第二源极（32）、第二漏极（42）进行钝化处理，以及在金纳米颗粒层（6）的表面形成DNA探针，所述DNA探针为带巯基的探针。

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